Ingegneria dell'Energia Elettrica - Electrical Engineering

Ripasso di dispositivi a semiconduttore Diodi di potenza PiN, Schottky e Merged PiN-Schottky Tiristore MOSFET di potenza in silicio IGBT Materiale semiconduttore a larga banda proibita per l'elettronica di potenza (SiC e GaN) Diodo Schottky in SiC MOSFET di potenza in SiC Transistor ad alta mobilità elettronica in GaN

Per comprendere e saper applicare le tecniche descritte nell'insegnamento è necessario aver sostenuto gli esami di Elettrotecnica, Elettronica Applicata e Misure Elettriche. Alcuni argomenti del programma richiedono la conoscenza delle serie e delle trasformate di Fourier e di Laplace, nonché abilità di analisi matematica. Tali prerequisiti sono indispensabili per lo studente che voglia seguire l'insegnamento con profitto.

N. Mohan, T. M. Undeland, and W. P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications, and Design, 3rd ed., Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2003. Kassakian, J. G., Perreault, D. J., Verghese, G. C., & Schlecht, M. F., Principles of Power Electronics, 2ª ed., Cambridge University Press, 2023 B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2ª ed., Springer, 2019

Il corso viene condotto in modalità ibrida. La piattaforma online é Zoom.

frequenza consigliata.

La prova consiste nel valutare un modello di simulazione realizzato mediante il software di simulazione PLECS.

B. J. Baliga, "Silicon Carbide Power Devices: Progress and Future Outlook," in IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 11, no. 3, pp. 2400-2411, June 2023 Lidow, A., de Rooji, M., Glaser, J., Pozo, A., Zhang, S., Palma, M., Reusch, D., Strydom, J., &, GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 4ª ed., John Wiley & Sons, 2025 B. Zojer, F. Di Domenico, and E. Persson, Operation and Features of High-Voltage CoolGaN™ Transistors, Infineon Technologies Austria AG, White Paper, Version 1.0, Oct. 2024. [Online]. Available: https://www.infineon.com/ V. Veliadis and T. M. Jahns, “Monolithic Bidirectional Lateral GaN Switches Reinvigorate Power Electronics Applications,” IEEE Power Electronics Magazine, vol. 12, no. 1, pp. 22–28, Mar. 2025, doi: 10.1109/MPEL.2025.3528696. K. K. L. Leong and P. Das, CoolGaN™ Bidirectional Switch 650 V G5: Fundamentals and Design Considerations, Infineon Technologies AG, White Paper, Version 1.1_EN, May 2025. [Online]. Available: https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gallium-nitride/gan-bidirectional-switch/hvgan- bidirectional-switch/ Monolithic Bidirectional Power Transistors, Infineon Technologies AG, White Paper, 2024.

Il corso viene erogato in presenza.