Ingegneria Elettronica - Electronics Engineering

-Limiti e prospettive delle tecnologie ULSI.
-Passi di fabbricazione di BJT e MOSFET. 
-Il silicio monocristallino: caratteristiche chimico-fisiche del silicio, tecnica di crescita di monocristalli bulk con il metodo Czochralski, difetti.
 -Tecniche di crescita epitassiali. Epitassia da fase vapore (VPE, MOVPE). Epitassia da fasci molecolari (MBE). -Ossidazione termica del silicio: struttura e proprietà dell’ossido di silicio; modello cinetico; apparati per ossidazione termica.
 -Tecniche di drogaggio di materiali semiconduttori: meccanismi di diffusione di impurezze droganti, diffusione termica; impiantazione ionica.
 -Deposizione di film sottili per CVD e PVD.
 -Tecniche litografiche: preparazione delle maschere; litografia ottica, a raggi X ed a fascio elettronico; resist.
 -Attacchi umidi e secchi: anisotropia e selettività dell’attacco; plasma etching, sputter etching e reactive ion etching. -Conduttori: metalli per le interconnessioni; elettromigrazione, livelli di metallizzazioni e via-holes.
 -Il laboratorio tecnologico, cenni di tecnologie del vuoto.


È richiesta una conoscenza di base di fondamenti di elettronica. Utile, ma non indispensabile, una familiarità con i dispositivi elettronici fondamentali (diodi, transistor).

Fondamenti di tecnologie e materiali per l’elettronica, Vittorio Passaro, Aracne editrice
 Materiale integrativo (lucidi/diapositive del corso, articoli)

È fortemente consigliato frequentare il corso, incluse le esperienze in laboratorio. La modalità d'esame per i non frequentanti prevede una parte orale aggiuntiva volta a stabilire se i concetti fondamentali inclusi nel programma sono stati acquisiti.

L'esame si svolge mediante la presentazione di una tesina assegnata ad ogni studente alla fine del ciclo di lezioni. Il lavoro è presentato sia tramite elaborato scritto che con discussione orale con slides. In una prima parte del lavoro, lo studente presenta la descrizione di un processo di fabbricazione di un particolare dispositivo/sistema elettronico, con particolare attenzione alla struttura fisica del dispositivo, ai materiali utilizzati ed alla sequenza dei passi tecnologici per la fabbricazione. Nella seconda parte deve essere descritta in dettaglio una delle tecnologie micro/nano elettroniche utilizzate nel processo descritto nella prima parte, con un’analisi teorica dei modelli utilizzati per la dinamica del processo, una presentazione delle apparecchiature utilizzate e dei parametri di controllo del processo, e delle tecniche di caratterizzazione dei materiali ottenuti dalla tecnica esaminata. La presentazione ha durata di circa un'ora, con possibili domande volte a verificare l'avvenuta acquisizione delle conoscenze e dei concetti discussi nel corso.

Il corso prevede una parte con lezioni in aula ed una parte consistente (più della metà del corso) con una serie di esperienze in laboratorio, per la realizzazione dell’intero processo di fabbricazione di un array di dispositivi a film sottile.